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8月27日消息，年逆据高盛集团报告预测，袭增先进中国大陆7nm及以下先进制程晶圆的长倍自给率，将从2025年的中国制程自8%迅速增长至2035年的66%。

高盛预计到2035年，大陆达中国对先进制程晶圆的年逆月需求量将达到61.9万片，本土供应量有望提升至41万片。袭增先进

在2025至2035年间，长倍中国7nm及以下先进制程晶圆供应量将以年均46%的中国制程自高速增长，远超同期17%的大陆达需求年均增速。其中生成式AI热潮推动下，年逆用于AI服务器的袭增先进先进晶圆需求年均增速将达到42%。

中芯国际将成为这波产能扩张的长倍核心主力，高盛分析假设，中国制程自中芯国际在2026至2031年间每年新增月产能3万至5万片先进制程产能，大陆达2032至2035年间每年继续追加月产能2万片。

良率方面，中芯国际先进制程晶圆良率预计将从2026年的23%提升至2030年的50%，并在2035年进一步达到75%。

高盛还将中国半导体产业2030年资本支出预测上调至820亿美元，比一年前的预测值大幅调升79%，主要原因是生成式AI带来的强劲需求以及半导体国产化进程的全面推进。

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