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在HBM3E及此前世代，片交台积电代工的减少积电基础裸片价格，SK海力士不仅有望降低单位成本、对台

8月31日消息，依赖由英

若英特尔成功加入供应链，海力这一成本负担将进一步加重。士考生产占比极高，虑将M裸”

SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、并未进行相关探讨。关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，预计到HBM4E阶段，目前量产中的HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。已成为其供应链战略的必然选择。在HBM4方案中，

业内分析指出，已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的3至4倍。减少对单一代工厂的依赖。自HBM4起，SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。

与此同时，

对此，SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。然而，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，以减少对台积电晶圆代工的过度依赖。

(责任编辑：客户案例)